- 专利标题: 一种多孔碳均匀陶瓷化制备碳化硅基复合材料的方法
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申请号: CN202211177982.2申请日: 2022-09-27
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公开(公告)号: CN115557800B公开(公告)日: 2023-09-19
- 发明人: 汤素芳 , 赵日达 , 庞生洋 , 李建 , 胡成龙 , 成会明
- 申请人: 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构: 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- 代理商 于晓波
- 主分类号: C04B38/08
- IPC分类号: C04B38/08 ; C04B35/565 ; C04B35/622
摘要:
本发明涉及一种多孔碳均匀陶瓷化制备碳化硅基复合材料的方法,属于飞行器用热防护材料技术领域。该方法将酚醛树脂、乙二醇及固化剂混合均匀制得前驱体溶液,并将其浸渍入碳或陶瓷纤维预制体中,采用高压辅助相分离与高温固化方法,通过抑制乙二醇的沸腾与游离酚等物质的挥发,促进酚醛树脂更多活性位点参与聚合反应,进而在固化‑碳化后获得具有均匀的纳米孔结构及适宜的孔隙率的多孔碳基熔渗预制体。经1450~1550℃低温渗硅使多孔碳完全转化为碳化硅基体,且该过程产生的体积膨胀可完全填充原有孔道。所得碳化硅基体结构致密,无残碳、残硅,且晶粒细小;同时,引入的液硅在反应过程中被完全消耗,纤维无刻蚀。
公开/授权文献
- CN115557800A 一种多孔碳均匀陶瓷化制备碳化硅基复合材料的方法 公开/授权日:2023-01-03