- 专利标题: 一种基于MOFs的锂离子印迹PVDF膜的制备方法
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申请号: CN202211190325.1申请日: 2022-09-28
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公开(公告)号: CN115445448B公开(公告)日: 2024-10-11
- 发明人: 李正 , 刘禹霄 , 姜虹 , 毕嘉楠
- 申请人: 东北电力大学
- 申请人地址: 吉林省吉林市船营区长春路169号
- 专利权人: 东北电力大学
- 当前专利权人: 东北电力大学
- 当前专利权人地址: 吉林省吉林市船营区长春路169号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 李红媛
- 主分类号: B01D69/02
- IPC分类号: B01D69/02 ; B01D71/34 ; B01D67/00
摘要:
一种基于MOFs的锂离子印迹PVDF膜的制备方法,它涉及一种锂离子印迹膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有离子印迹分子不能同时具有高吸附容量和高选择性的问题。方法:一、制备NH2‑UIO‑66锆基有机金属框架;二、制备MOFs‑LiⅡPs印迹聚合物;三、制备SP‑PDA@PVDF膜;四、引入SiO2纳米中间层;五、制备MOFs‑LiⅡPs@PVDF膜。本发明制备的基于MOFs的锂离子印迹PVDF膜对MOFs离子印迹聚合物的负载率提高了11.6%,相应的导致吸附量显著提高;SiO2改性提高了膜的比表面积和抗污染性能,使得吸附平衡时间更短,抗污染性能提高,连续洗脱10次后其性能仅下降了5.6%。
公开/授权文献
- CN115445448A 一种基于MOFs的锂离子印迹PVDF膜的制备方法 公开/授权日:2022-12-09