发明授权
- 专利标题: 一种钽电容二氧化锰阴极层界面处理方法
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申请号: CN202210976346.X申请日: 2022-08-15
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公开(公告)号: CN115188593B公开(公告)日: 2023-06-02
- 发明人: 钟山 , 胡鹏 , 代东升 , 曾庆雨 , 张大省 , 刘开文 , 谢世豪
- 申请人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
- 申请人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号
- 专利权人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
- 当前专利权人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)
- 当前专利权人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号
- 代理机构: 贵州派腾知识产权代理有限公司
- 代理商 周黎亚
- 主分类号: H01G9/04
- IPC分类号: H01G9/04 ; H01G9/15 ; H01G9/00
摘要:
本发明属于钽电容二氧化锰阴极层界面处理技术领域,具体涉及一种钽电容二氧化锰阴极层界面处理方法,先将形成二氧化锰阴极层的阳极块浸入界面处理液中,取出,依次经室温静置、180℃烘箱干燥、冷却后,再浸入硝酸锰溶液中,取出并置于60‑120℃烘箱中干燥至阳极块表面无液体痕迹后,再置于180‑250℃的烘箱中分解5‑8min;此后涂覆石墨层完成后,将钽块放入在250℃下进行高温热处理,最后涂覆银浆层;通过该方法改善了二氧化锰阴极层的界面状态,减小接触电阻,同时增强抗外界热、电冲击应力,从而使产品ESR值及参数稳定性得到提升,其操作简单,效率高,无需复杂设备,投入成本低。
公开/授权文献
- CN115188593A 一种钽电容二氧化锰阴极层界面处理方法 公开/授权日:2022-10-14