发明公开
- 专利标题: 高电压单晶三元正极材料、其制备方法及其应用
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申请号: CN202210919392.6申请日: 2022-08-02
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公开(公告)号: CN115172719A公开(公告)日: 2022-10-11
- 发明人: 李琪 , 范亚敏 , 吕菲 , 陈德贤 , 徐宁 , 陈要忠
- 申请人: 天津巴莫科技有限责任公司
- 申请人地址: 天津市滨海新区高新区海泰大道8号
- 专利权人: 天津巴莫科技有限责任公司
- 当前专利权人: 天津巴莫科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 天津市滨海新区高新区海泰大道8号
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; C30B9/12 ; C30B29/22 ; H01M4/131 ; H01M4/485 ; H01M4/505 ; H01M4/525 ; H01M4/62 ; H01M10/0525
摘要:
本发明公开了一种高电压单晶三元材料、其制备方法及其应用,通过借助低熔点助熔剂降低晶界熔合能,在低温下进行预烧得到定向微晶核;定向微晶核与结构稳定剂在高温下反应实现晶核的定向生长;通过对活性较低的大粒度三元材料前驱体在分散剂和溶剂辅助下球磨成高活性前驱体,增加了前驱体与锂盐的反应活性位点;本发明制得的单晶三元正极材料具有较好的粒度均一性,过渡金属元素在晶粒内分布的较为均匀,并实现了晶粒的定向生长,同时具有较高的压实密度,在较高的碾压强度下,极片能够保持包覆的完整性,避免出现晶界破碎,材料的容量、高低温循环及倍率性能明显优于传统单晶三元正极材料。本发明制备方法简单,设备通用性强,易于进行规模化生产。