发明授权
- 专利标题： 含镉量子点及其应用
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申请号： CN202110311990.0申请日： 2021-03-24
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公开(公告)号： CN115125003B公开(公告)日： 2023-12-05
- 发明人: 陈小朋 , 张海鑫 , 毛雁宏 , 叶荣琴
- 申请人： 纳晶科技股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
- 专利权人： 纳晶科技股份有限公司
- 当前专利权人： 纳晶科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
- 主分类号： C09K11/88
- IPC分类号： C09K11/88 ; C09K11/02 ; H01L33/28
摘要：
本公开提供了一种含镉量子点、组合物、光致发光器件、电致发光器件及显示装置，该含镉量子点包括第一半导体材料的核，以及第二半导体材料的壳，设置在核上，其中含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，核包括CdZnSe1‑xSx，0≤x
公开/授权文献
- CN115125003A 含镉量子点及其应用 公开/授权日：2022-09-30
