本发明涉及一种后端控制AlV55合金氧化膜的方法，步骤如下：1)将反应器放置在冶炼台上置入密闭空间，倒入混合好的炉料，炉料包含V2O5和金属Al；2)引燃点火剂触发反应，进行铝热还原冶炼；3)反应结束后，向反应器中吹入惰性气体进行保护；4)检测AlV55合金饼的表面温度，并在表面温度降低至预定温度时拆炉；5)将AlV55合金饼放置于水淬池中快速冷却；以及6)冷却完毕后，将AlV55合金饼捞出、破碎，获得AlV55合金产品。该方法通过在反应结束后以水淬的方式快速冷却AlV55合金饼，有效降低氧化膜产品比率。