本发明涉及一种表面光洁度改善型屏蔽料、制备方法和半导电屏蔽制品。表面光洁度改善型屏蔽料主要通过质量份数分别为55份～65份的基体树脂、20份～30份的导电炭黑、1份～10份的Ti3C2MXene、0.5份～2份的分散剂、3份～6份的功能助剂以及0.9份～2份的交联剂制成。其中，Ti3C2MXene表面具有极性官能团，与基体树脂有良好的相容性，可以提高导电炭黑在基体树脂中的分散性，减少屏蔽料表面的凸起，改善屏蔽料的表面光洁度，同时还可以提高屏蔽料的力学性能。