本发明属于温度传感材料技术领域，涉及一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法。本发明所述的制备方法包括如下工艺步骤：图案化掩膜、溅射镀膜、去除掩膜、退火处理。其中，通过溅射镀膜与退火处理工艺的结合，先后沉积缓冲层Ta层、功能层Pt层，通过调控溅射过程中氧气含量、退火处理的温度及保温时间，从而实现对Pt膜层晶体取向的调控。该方法得到的Pt膜层具有晶体取向多样、致密性高、TCR高及线性度好的优势，且该方法具有成本低、易操作、易实现批量或规模化生产、成品率高、稳定性高、所得的膜性能优越等特点，为推动Pt温度传感器的发展具有积极作用。