- 专利标题: 一种互补式人工突触阵列及其电流体喷印制备方法
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申请号: CN202210593244.X申请日: 2022-05-27
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公开(公告)号: CN114975778B公开(公告)日: 2024-09-03
- 发明人: 叶冬 , 王洪扬 , 黄永安 , 田雨 , 关寅
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 孔娜
- 主分类号: H10N70/20
- IPC分类号: H10N70/20 ; B41M5/00
摘要:
本发明属于柔性微电子器件制备相关技术领域,其公开了一种互补式柔性人工突触阵列及其电流体喷印制备方法,包括以下步骤:(1)在亲水处理后的透明基底上制备聚酰亚胺层;(2)在聚酰亚胺层上制备氧化铟锡调节层;(3)氧化铟锡调节层上沉积金属纳米线;(4)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在在金属纳米线的相应位置沉积底层有机聚合物电极;(5)在底层有机聚合物电极上自下而上依次沉积下层有机阻变层、中间层有机聚合物电极、上层有机阻变层;(6)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在每排上层有机阻变层上制备顶层有机聚合物电极,继而得到互补式柔性人工突触阵列。本发明实现了柔性人工突触结构的大规模快速制备,并克服了漏电流问题。
公开/授权文献
- CN114975778A 一种互补式人工突触阵列及其电流体喷印制备方法 公开/授权日:2022-08-30