发明授权
- 专利标题: 一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法
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申请号: CN202210616456.5申请日: 2022-06-01
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公开(公告)号: CN114695582B公开(公告)日: 2022-09-13
- 发明人: 汤晓燕 , 杜丰羽 , 宋庆文 , 张玉明 , 袁昊 , 田鸿昌
- 申请人: 陕西半导体先导技术中心有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
- 专利权人: 陕西半导体先导技术中心有限公司
- 当前专利权人: 陕西半导体先导技术中心有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 王萌
- 主分类号: H01L31/0336
- IPC分类号: H01L31/0336 ; H01L31/0232 ; H01L31/101 ; H01L31/102 ; H01L31/18
摘要:
本发明涉及一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法,探测器包括镜面反射层、4H‑SiC衬底层、4H‑SiC外延层、β‑Ga2O3外延功能层、第一界面缓冲层、第二界面缓冲层和透明电极,镜面反射层、4H‑SiC衬底层和4H‑SiC外延层依次层叠;β‑Ga2O3外延功能层位于4H‑SiC外延层的部分表面上;第二界面缓冲层位于4H‑SiC外延层的另一部分表面上,且其侧面与β‑Ga2O3外延功能层的侧面相接触;第一界面缓冲层位于β‑Ga2O3外延功能层上;透明电极位于第一界面缓冲层和第二界面缓冲层上,且位于第二界面缓冲层上的透明电极的侧面与β‑Ga2O3外延功能层的侧面相接触。该紫外探测器通过设置4H‑SiC外延层和β‑Ga2O3外延功能层,拓宽了探测器的响应范围,提升了探测器在日盲波段的响应度。
公开/授权文献
- CN114695582A 一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法 公开/授权日:2022-07-01
IPC分类: