一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法
摘要:
本发明涉及一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法,探测器包括镜面反射层、4H‑SiC衬底层、4H‑SiC外延层、β‑Ga2O3外延功能层、第一界面缓冲层、第二界面缓冲层和透明电极,镜面反射层、4H‑SiC衬底层和4H‑SiC外延层依次层叠;β‑Ga2O3外延功能层位于4H‑SiC外延层的部分表面上;第二界面缓冲层位于4H‑SiC外延层的另一部分表面上,且其侧面与β‑Ga2O3外延功能层的侧面相接触;第一界面缓冲层位于β‑Ga2O3外延功能层上;透明电极位于第一界面缓冲层和第二界面缓冲层上,且位于第二界面缓冲层上的透明电极的侧面与β‑Ga2O3外延功能层的侧面相接触。该紫外探测器通过设置4H‑SiC外延层和β‑Ga2O3外延功能层,拓宽了探测器的响应范围,提升了探测器在日盲波段的响应度。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31/0256 ..以材料为特征的
H01L31/0264 ...无机材料
H01L31/0328 ....除掺杂或其他杂质外,包含已列入H01L31/0272至H01L31/032组中两组或更多个组的半导体材料
H01L31/0336 .....在不同半导体区域的,如Cu2X/CdX异质结,X为周期表中的Ⅵ族元素
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