- 专利标题: 一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用
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申请号: CN202011496965.6申请日: 2020-12-17
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公开(公告)号: CN114645261B公开(公告)日: 2024-04-09
- 发明人: 田小让 , 张国松 , 赵鑫 , 吴超 , 孟垂舟
- 申请人: 新奥科技发展有限公司
- 申请人地址: 河北省廊坊市开发区广阳道北
- 专利权人: 新奥科技发展有限公司
- 当前专利权人: 新奥科技发展有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省廊坊市开发区广阳道北
- 代理机构: 北京开阳星知识产权代理有限公司
- 代理商 王璐; 要然
- 主分类号: C23C16/28
- IPC分类号: C23C16/28 ; C23C16/452
摘要:
本发明涉及聚变装置的硼化技术,具体公开了一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用。本发明通过在聚变装置的外部设置预电离室对硼粉进行预电离,从而避免了对聚变装置真空室内部真空度等条件稳定性的影响,同时杜绝了污染物的带入,能够对聚变装置真空室的已有硼膜随时进行补强。预电离后的硼离子在进入聚变装置真空室内部后,在聚变反应放电的同时就能够进行对真空室内壁的硼化,无需额外的硼化步骤,简化了操作步骤,可满足未来聚变装置将运行很长的脉冲(即准稳态)或者运行于稳态放电的需要。
公开/授权文献
- CN114645261A 一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用 公开/授权日:2022-06-21
IPC分类: