本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底内具有若干第一深沟槽；在所述第一衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层充满所述第一深沟槽；对所述第一光阻层进行第一曝光工艺；减薄所述第一光阻层直至露出所述第一衬底，保留所述第一深沟槽内的所述第一光阻层；在所述第一衬底上形成第二光阻层；对所述第二光阻层及所述第一光阻层进行第二曝光工艺及显影工艺，以除去第一衬底上的部分第二光阻层及对应的第一深沟槽内的第一光阻层。通过第一光阻层充满第一深沟槽，为第二光阻层的形成提供平坦的表面，提升第二光阻层各处厚度的均匀性，进而提升第二光阻层内部应力的均匀性，避免产生裂缝。