- 专利标题: 一种用于记忆电机系统的Boost电路升压控制方法
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申请号: CN202210351852.X申请日: 2022-04-02
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公开(公告)号: CN114598229B公开(公告)日: 2024-11-08
- 发明人: 林鹤云 , 仲宇翔 , 王激尧 , 阳辉
- 申请人: 东南大学 , 东南大学苏州研究院
- 申请人地址: 江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号;
- 专利权人: 东南大学,东南大学苏州研究院
- 当前专利权人: 东南大学,东南大学苏州研究院
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号;
- 代理机构: 北京同辉知识产权代理事务所
- 代理商 张恩慧
- 主分类号: H02P25/02
- IPC分类号: H02P25/02 ; H02P25/16 ; H02P21/00 ; H02M3/156
摘要:
本发明公开一种用于记忆电机系统的Boost电路升压控制策略,该方法通过控制记忆电机三相逆变器前级的Boost升压电路,保证调磁成功,当接收到调磁指令时,根据调磁电流轨迹、调磁电流指令值以及调磁时间等,计算调磁所需电压Ums,若其小于直流母线电压Udc1,则控制Boost升压电路开关管占空比D为0,即不需要升压;若Ums大于直流母线电压Udc1,则需调节开关管占空比D为1‑Udc1/Ums,保证Boost升压电路的输出电压大于调磁所需电压。本发明方法能够根据调磁需要,自适应地提高Boost电路输出的直流电压,来保证记忆电机运行在高速区时也能有足够的电压完成调磁。
公开/授权文献
- CN114598229A 一种用于记忆电机系统的Boost电路升压控制方法 公开/授权日:2022-06-07