- 专利标题: 硅基石墨烯光电二极管阵列及其CMOS集成方法
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申请号: CN202210066651.5申请日: 2022-01-20
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公开(公告)号: CN114582985B公开(公告)日: 2023-11-14
- 发明人: 徐杨 , 吕建杭 , 刘亦伦 , 刘粒祥 , 董云帆 , 俞滨
- 申请人: 浙江大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人: 浙江大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 刘静
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224 ; H01L27/146
摘要:
本发明公开了一种硅基石墨烯光电二极管阵列及其CMOS集成方法,该阵列由下至上依次包括p型半导体硅衬底、二氧化硅层、透明隔离保护层;衬底上形成阵列排布的N阱,每个N阱配置一个通过欧姆接触连接的硅基石墨烯CMOS读出电路;二氧化硅层开有硅窗口和硅通孔;硅通孔上端设有金属电极,读出电路通过硅通孔与金属电极电连接;硅窗口上覆盖与N阱接触的单层石墨烯薄膜,单层石墨烯薄膜一端搭接在二氧化硅层上,另一端搭接在金属电极上,形成一个光电二极管的像素单元;各像素单元间通过隔离阱进行串扰隔离。本发明充分利用石墨烯的宽光谱吸收特性,以及硅基技术的低噪声、低成本等优势,有利于拓宽光谱响应范围、提高成像质量以及拓展应用场景。
公开/授权文献
- CN114582985A 硅基石墨烯光电二极管阵列及其CMOS集成方法 公开/授权日:2022-06-03
IPC分类: