Invention Publication
CN114582866A 半导体器件
审中-实审
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN202111437577.5Application Date: 2021-11-29
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Publication No.: CN114582866APublication Date: 2022-06-03
- Inventor: 金雅廪 , 金成勋 , 边大锡
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 程丹辰
- Priority: 10-2020-0164392 20201130 KR 10-2021-0049678 20210416 KR
- Main IPC: H01L27/092
- IPC: H01L27/092 ; H01L21/8238
Abstract:
一种半导体器件包括衬底、形成在衬底中的N阱区、具有形成在N阱区中的有源区的第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、以及具有形成在衬底中的有源区的第一N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。第一NMOS晶体管包括第一N型有源区，当从平行于衬底的顶表面的平面上方观察时，该第一N型有源区与衬底和N阱区中的每个重叠。
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IPC分类:
