发明授权
- 专利标题: 红外焦平面探测器及其制备方法
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申请号: CN202111400810.2申请日: 2021-11-19
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公开(公告)号: CN114530468B公开(公告)日: 2023-11-14
- 发明人: 唐鑫 , 刘雁飞
- 申请人: 中芯热成科技(北京)有限责任公司
- 申请人地址: 北京市通州区兴贸一街7号院801
- 专利权人: 中芯热成科技(北京)有限责任公司
- 当前专利权人: 中芯热成科技(北京)有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市通州区兴贸一街7号院801
- 代理机构: 北京开阳星知识产权代理有限公司
- 代理商 吴崇
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
本公开涉及一种红外焦平面探测器及其制备方法,其用于制备形成一种具有网格状公共电极结构的红外焦平面探测器;该制备方法包括:形成电极电路基底;电极电路基底上设有阵列式的像素电极;在电极电路基底的一侧形成网格状公共电极;其中,阵列式的像素电极中每个像素电极均被网格状公共电极的一个格子包围,像素电极与网格状公共电极电绝缘;在网格状公共电极背离电极电路基底的一侧形成红外光敏层;其中,红外光敏层至少填充于网格状公共电极的格子内。由此,相当于将公共电极和像素电极均形成在红外光敏层靠近电极电路基底的一侧,从而避免了两电极对红外光入射到红外光敏层时的遮挡,提高了光学填充率,有利于提高探测器的信噪比。
公开/授权文献
- CN114530468A 红外焦平面探测器及其制备方法 公开/授权日:2022-05-24
IPC分类: