发明公开
- 专利标题: 一种无铅卤素微米晶的制备方法及其产品和应用
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申请号: CN202210194184.4申请日: 2022-03-01
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公开(公告)号: CN114477267A公开(公告)日: 2022-05-13
- 发明人: 唐孝生 , 罗伊 , 何鹏 , 赖俊安 , 周佳儿 , 安康
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
- 主分类号: C01G5/00
- IPC分类号: C01G5/00 ; C01G5/02 ; C09K11/61 ; C09K11/02 ; G01N23/04
摘要:
本发明涉及一种无铅卤素微米晶的制备方法及其产品和应用,属于无铅卤素微米晶制备技术领域。本发明公开了一种无铅卤素微米晶的制备方法,将氯化银(AgCl)和氯化铷(RbCl)在二甲基亚砜中溶解,通过反溶剂法萃取得到Rb2AgCl3无铅卤素微米晶。本发明使用常温法进行制备,具有实验步骤简单、容易操作的优点,制备的Rb2AgCl3无铅卤素微米晶与含铅卤化物相比,解决了铅的有毒性,尤其与铯铅溴对比,本发明制备的Rb2AgCl3无铅卤素微米晶作为闪烁体材料在X射线下的发光量高于铯铅溴,而且能够将微米晶粉末制成膜的工艺简单,制成薄膜后,薄膜中材料分布均匀使得成像效果更好。
IPC分类: