Invention Publication
- Patent Title: 功率半导体电路和参数化功率半导体电路控制装置的方法
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Application No.: CN202111140783.XApplication Date: 2021-09-28
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Publication No.: CN114389586APublication Date: 2022-04-22
- Inventor: M·穆勒 , B·福格勒
- Applicant: 赛米控电子股份有限公司
- Applicant Address: 德国纽伦堡
- Assignee: 赛米控电子股份有限公司
- Current Assignee: 赛米控电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 德国纽伦堡
- Agency: 重庆智鹰律师事务所
- Agent 唐超尘; 刘贻行
- Priority: 102020125785.6 20201002 DE
- Main IPC: H03K17/082
- IPC: H03K17/082 ; G01R19/165

Abstract:
本发明涉及具有功率半导体开关和控制装置的功率半导体电路,其具有第一和第二负载电流端子以及栅极,控制装置具有设计成在栅极处产生用于驱动功率半导体开关的驱动电压的驱动装置和具有电压极限值确定模式和监测模式的过电流检测电路,过电流检测电路设计成,在电压极限值确定模式中,功率半导体开关接通时,确定对应于第一负载电流端子与第二负载电流端子之间的功率半导体开关主电压的监测电压的最大电压值并将其储存为电压极限值,在监测模式中,功率半导体开关接通时,确定监测电压,当监测电压超过功率半导体开关接通时的电压极限值时,产生过电流检测信号。本发明还涉及用于参数化与其相关的控制装置的方法。
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