本发明公开了一种半导体元件及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成外延层；外延层远离衬底的一侧包括沟槽；于沟槽的侧壁以及底部形成第一绝缘层，并在第一绝缘层所围空间中形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中第二多晶硅层作为栅极多晶硅，第二多晶硅层与沟槽之间的第一绝缘层作为栅绝缘层；在外延层中形成体区和源极区；在沟槽底部的第一绝缘层中形成补偿电荷区；补偿电荷区中电荷产生的电场用于减弱外延层中耐压较弱位置的电场强度，以提高半导体元件的耐压值至目标耐压值。本发明实施例提供的技术方案有效的提高器件的耐压性能，无需在沟槽不同的深度精准把控第一绝缘层不同的厚度，简化了提高器件耐压性能的方式。