- 专利标题: 一种金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法
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申请号: CN202111476850.5申请日: 2021-12-02
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公开(公告)号: CN114318216B公开(公告)日: 2023-11-14
- 发明人: 薄勇 , 申玉 , 袁磊 , 徐健 , 彭钦军 , 江南 , 易剑 , 袁其龙
- 申请人: 中国科学院理化技术研究所 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村东路29号;
- 专利权人: 中国科学院理化技术研究所,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人: 中国科学院理化技术研究所,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村东路29号;
- 代理机构: 北京中政联科专利代理事务所
- 代理商 陈超
- 主分类号: C23C14/02
- IPC分类号: C23C14/02
摘要:
本发明提供一种金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法,该金刚石晶体的高结合力光学薄膜的制备方法包括:将金刚石晶体置于真空腔室内,并使金刚石晶体的表面达到预设温度,预设温度为200℃~1000℃;在金刚石晶体的表面平铺硅层,形成膜系结构,在膜系结构中,硅层与金刚石晶体相接触的界面处形成碳化硅层;在膜系结构的表面上镀目标膜层,形成金刚石晶体的高结合力光学薄膜。本发明实施例提供的金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法,可将膜系结合力由范德华力变为化学键结合力,提高膜系表面结合力,提高膜系稳定性、抗损伤能力,缓解易脱落的问题。
公开/授权文献
- CN114318216A 一种金刚石晶体的高结合力光学薄膜及其制备方法 公开/授权日:2022-04-12
IPC分类: