本发明公开了一种1‑3型压电单晶复合材料制备方法，属于电子元器件制造技术领域。该方法由单晶的多线切割工艺、灌注工艺以及后续的脱模加工、印制电极等工艺过程组成。本方法发明的双面多线切割工艺，充分发挥了线切割小应力、接近常温切割的特点，实现对极化后的压电单晶进行高精度切割，制备的压电单晶复合材料无明显退极化，能够充分发挥单晶复合材料的高性能；避免了单晶切割容易崩瓷、断裂等不利影响。适合1‑3型压电单晶复合材料的制备，与传统刀片式切割制备工艺相比，具有明显的技术优势。