本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底和位于基底上的位线结构，位线结构包括顶层介质层，位线结构相对两侧具有电容接触孔；形成覆盖顶层介质层侧壁的第一隔离侧墙，以及形成覆盖第一隔离侧墙侧壁的第二隔离侧墙，第一隔离侧墙位于位线结构和电容接触孔之间，第二隔离侧墙的顶面高于第一隔离侧墙的顶面；去除至少部分顶层介质层，形成第一空隙；进行沉积工艺，形成覆盖第一隔离侧墙顶面且封堵空隙顶部开口的第一封口膜，第一封口膜顶面高于第二隔离侧墙顶面；进行第一平坦化工艺，去除高于第二隔离侧墙顶面的第一封口膜，剩余第一封口膜作为第一封口层。本发明有利于提高半导体结构的结构稳定性。