- 专利标题: 一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器
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申请号: CN202210146969.4申请日: 2022-02-17
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公开(公告)号: CN114189964B公开(公告)日: 2022-05-03
- 发明人: 彭少给 , 彭国允 , 李旭
- 申请人: 深圳市暗能量电源有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪东社区同富路1号和3号
- 专利权人: 深圳市暗能量电源有限公司
- 当前专利权人: 深圳市暗能量电源有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪东社区同富路1号和3号
- 代理机构: 北京惟盛达知识产权代理事务所
- 代理商 董鸿柏
- 主分类号: H05B45/325
- IPC分类号: H05B45/325 ; H05B45/3725 ; H05B45/10 ; H02M3/158 ; H02M3/157 ; H02M1/092
摘要:
本发明公开了一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器。本发明采用STA模块、光耦检测模块、PWM切向控制模块、电压切向模块组成可控硅调光器,对交流市电进行切向,实现对负载端的可控硅照明设备进行调光控制。本发明电路简单稳定,通信抗干扰强。本发明所述调光器可使原有电网线路无需更改,安装更换方便。原有可控硅照明设备无需更换即可实现群控群调智能调光和智能场景。本发明所述电压切向模块采用MOS管切向,电路本身损耗小,节能减排。实现了在不改变原有的灯具和走线的情况下实现可控硅调光灯具的智能调光。
公开/授权文献
- CN114189964A 一种低损耗MOS切相智能大功率可控硅调光器 公开/授权日:2022-03-15