- 专利标题： 改善负极表面覆锂的方法、补锂负极和锂离子二次电池
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申请号： CN202111341622.7申请日： 2021-11-12
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公开(公告)号： CN114171798B公开(公告)日： 2024-07-12
- 发明人: 郇庆娜 , 孙兆勇 , 孔德钰 , 陈强 , 牟瀚波
- 申请人： 天津中能锂业有限公司
- 申请人地址： 天津市滨海新区天津经济技术开发区西区新业九街100号
- 专利权人： 天津中能锂业有限公司
- 当前专利权人： 天津中能锂业有限公司
- 当前专利权人地址： 天津市滨海新区天津经济技术开发区西区新业九街100号
- 代理机构： 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司
- 代理商 崔永华
- 主分类号： H01M10/058
- IPC分类号： H01M10/058 ; H01M4/13 ; H01M4/139 ; H01M10/0525
摘要：
公开了一种改善负极表面覆锂的方法、补锂负极和锂离子二次电池。改善负极表面覆锂的方法包括：在负极的负极活性材料层的表面形成粗化层，所述粗化层具有均匀分布的纳米级别的粗糙度，将厚度为1‑50um的超薄金属锂或锂合金膜压力复合到粗化层上，得到补锂负极。此工艺简单，易操作，可以批量化生产应用。
公开/授权文献
- CN114171798A 改善负极表面覆锂的方法、补锂负极和锂离子二次电池 公开/授权日：2022-03-11
