Invention Grant
- Patent Title: 一种硅部件深孔钻加工工艺
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Application No.: CN202111638739.1Application Date: 2021-12-29
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Publication No.: CN114147250BPublication Date: 2023-08-22
- Inventor: 潘连胜 , 潘一鸣 , 王莉莉
- Applicant: 福建精工半导体有限公司
- Applicant Address: 福建省泉州市南安市霞美镇光电信息产业基地恒通路16号
- Assignee: 福建精工半导体有限公司
- Current Assignee: 福建精工半导体有限公司
- Current Assignee Address: 福建省泉州市南安市霞美镇光电信息产业基地恒通路16号
- Agency: 泉州市宽胜知识产权代理事务所
- Agent 詹俊英
- Main IPC: B23B35/00
- IPC: B23B35/00 ; B23B47/00 ; B23Q3/06 ; B23Q11/00 ; B23Q11/10
Abstract:
本发明公开了一种硅部件深孔钻加工工艺，通过相应治具对硅部件定位，解决了传统硅部件深孔钻加工时在对硅部件翻转过程出现位置偏差的问题；本发明能保证硅部件深孔钻作业时孔的位置精度在合理范围内，便于后续装配作业，工序合理，加工效率高。
Public/Granted literature
- CN114147250A 一种硅部件深孔钻加工工艺 Public/Granted day:2022-03-08
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