- 专利标题： 在编程和擦除期间限流的金属细丝RERAM单元
-
申请号： CN201980097734.7申请日： 2019-09-24
-
公开(公告)号： CN114041186B公开(公告)日： 2022-09-13
- 发明人: J·L·麦科勒姆 , 薛丰良
- 申请人： 微芯片技术股份有限公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州
- 专利权人： 微芯片技术股份有限公司
- 当前专利权人： 美高森美SOC公司
- 当前专利权人地址： 美国亚利桑那州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 蔡悦
- 优先权： 62/870,014 20190702 US 16/525,546 20190729 US
- 国际申请： PCT/US2019/052662 2019.09.24
- 国际公布： WO2021/002883 EN 2021.01.07
- 进入国家日期： 2021-12-21
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00 ; G11C29/04 ; G11C29/44
摘要：
本发明公开了一种ReRAM存储器单元，该ReRAM存储器单元包括ReRAM元件；编程电路，该编程电路耦接到该ReRAM元件并且限定该ReRAM存储器单元中的编程电路路径；以及擦除电路，该擦除电路耦接到该ReRAM元件并且限定该ReRAM存储器单元中的擦除电路路径。该编程电路路径与该擦除电路路径分开。
公开/授权文献
- CN114041186A 在编程和擦除期间限流的金属细丝RERAM单元 公开/授权日：2022-02-11
