发明授权
- 专利标题： 一种检测区熔多晶硅生长缺陷的方法
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申请号： CN202111407651.9申请日： 2021-11-24
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公开(公告)号： CN114034715B公开(公告)日： 2024-03-05
- 发明人: 李朋飞 , 徐岩 , 邢阳阳 , 鱼海斌 , 杨强国 , 左赛虎 , 苟帅斌 , 李晓梅 , 李强 , 施航
- 申请人： 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
- 申请人地址： 陕西省榆林市佳县工业园
- 专利权人： 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
- 当前专利权人： 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
- 当前专利权人地址： 陕西省榆林市佳县工业园
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张一军; 王安娜
- 主分类号： G01N21/95
- IPC分类号： G01N21/95
摘要：
本发明公开了一种检测区熔多晶硅生长缺陷的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从区熔多晶硅棒上切割下一段多晶硅棒；从所述多晶硅棒上获取多晶硅片；采用蚀刻剂对所述多晶硅片进行蚀刻；采用显微镜采集蚀刻后的所述多晶硅片的生长图像，从而检测区熔多晶硅的生长缺陷。该实施方式能够解决缺少可以实现检测区熔多晶硅生长缺陷的方法的技术问题。
公开/授权文献
- CN114034715A 一种检测区熔多晶硅生长缺陷的方法 公开/授权日：2022-02-11
