- 专利标题: 高分子材料核辐射损伤判断方法、装置、设备及介质
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申请号: CN202111198357.1申请日: 2021-10-14
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公开(公告)号: CN114004066B公开(公告)日: 2024-09-03
- 发明人: 吴飞 , 马敬伟 , 孙少华 , 朱敏 , 黄璜 , 王浩宇 , 李木易 , 伍德金 , 王艳军
- 申请人: 中国人民解放军海军工程大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市硚口区解放大道717号
- 专利权人: 中国人民解放军海军工程大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军海军工程大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市硚口区解放大道717号
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 王宇杨
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G06F119/02
摘要:
本发明提供一种高分子材料核辐射损伤判断方法、装置、设备及介质。所述方法包括:获取高分子材料的组分、密度和厚度,并根据所述高分子材料的组分、密度和厚度,确定辐射场环境下高分子材料内部的光子能量沉积和中子能量沉积;将所述光子能量沉积和所述中子能量沉积输入至高分子材料辐射损伤模型中,得到高分子材料经辐射后的相对分子量;根据高分子材料经辐射后的相对分子量,判断所述高分子材料在辐射场环境下是否发生辐射损伤。本发明通过高分子材料辐射损伤模型判断高分子材料是否发生辐射损伤,提高了辐射损伤判断的准确性,具有较高的应用价值。
公开/授权文献
- CN114004066A 高分子材料核辐射损伤判断方法、装置、设备及介质 公开/授权日:2022-02-01