发明公开
- 专利标题: 低压气体击穿电压与位置的数值模拟方法及系统
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申请号: CN202111265942.9申请日: 2021-10-28
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公开(公告)号: CN113987881A公开(公告)日: 2022-01-28
- 发明人: 于博 , 王宣 , 余水淋 , 刘佳 , 夏启蒙 , 乔彩霞 , 杭观荣
- 申请人: 上海空间推进研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区浦江镇万芳路801号
- 专利权人: 上海空间推进研究所
- 当前专利权人: 上海空间推进研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区浦江镇万芳路801号
- 代理机构: 上海段和段律师事务所
- 代理商 施嘉薇
- 主分类号: G06F30/23
- IPC分类号: G06F30/23 ; G06F111/10
摘要:
本发明提供了一种低压气体击穿电压与位置的数值模拟方法及系统,适用于真空环境下的复杂结构电极之间的气体放电过程模拟。所述方法基于将放电路径设定为间隙电场线,以放电路径和电位等势线划分计算域网格,在设定负电极表面的初始电子数量后,针对放电路径上的电子运动、电子与原子碰撞、离子生成以及二次电子生成进行计算。接着,对比各放电路径的二次电子生成总量,筛选出最可能击穿路径,再以该路径的二次电子数量与初始电子数量对比,判断是否能够触发临界击穿。本发明可实现复杂结构电极间的击穿电压和击穿位置的预估,且具有较高的计算效率。