- 专利标题: 一种快速实现光刻系统精密校准的光学方法及装置
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申请号: CN202111209569.5申请日: 2021-10-18
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公开(公告)号: CN113985705B公开(公告)日: 2022-11-11
- 发明人: 韩丹丹 , 韦亚一
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京知迪知识产权代理有限公司
- 代理商 王胜利
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20
摘要:
本发明公开一种快速实现光刻系统精密校准的光学方法及装置,涉及光学领域。快速实现光刻系统精密校准的光学方法包括:基于聚焦元件开口处的点光源场强分布数据,确定所述点光源的点宽拟合关系;基于所述点光源的点宽拟合关系,确定在光学显微镜下所述点光源的点宽与光刻胶的曝光参数之间的第一对应关系;基于所述光刻胶表面的点映射图形的光学显微图像,确定所述点光源的第一点宽数据集;基于所述点光源的第一点宽数据集,确定所述点光源的点宽与光刻胶的曝光参数之间的第二对应关系;当所述第一对应关系和所述第二对应关系满足预设条件时,利用所述第一对应关系确定所述光刻胶的曝光参数,可以快速的获取曝光参数,及时的对曝光参数进行测量。
公开/授权文献
- CN113985705A 一种快速实现光刻系统精密校准的光学方法及装置 公开/授权日:2022-01-28
IPC分类: