本发明提供了一种用于磁控溅射晶界扩散的稀土合金靶材，稀土合金靶材的化学组分及重量百分含量为RaM100‑a，其中R选自Pr、Nd、Dy、Tb和Ho中的一种或多种，M选自Al、Co、Ga、Ni和Zn的一种或多种。本申请还提供了一种用于磁控溅射晶界扩散的稀土合金靶材的制备方法。本发明提供了一种用于磁控溅射的低成本稀土合金靶材，用此稀土合金靶材生产的磁体在同样性能的情况下制备成本低，同时也为能够进一步提高磁体的性能奠定了基础。