- 专利标题: 一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法
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申请号: CN202111131702.X申请日: 2021-09-26
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公开(公告)号: CN113957374A公开(公告)日: 2022-01-21
- 发明人: 王洁 , 王盛 , 胡耀程 , 谢宇鹏 , 高勇 , 杜鑫 , 司清宇 , 孙秋宇
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 白文佳
- 主分类号: C23C4/08
- IPC分类号: C23C4/08 ; C23C4/12 ; C23C14/04 ; C23C14/18 ; C23C14/35 ; C23C24/04 ; H01L21/3205
摘要:
本发明公开了一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法,包括如下过程:在惰性氛围中,在半导体衬底表面利用激光进行刻痕处理,增加所述半导体衬底表面的粗糙度;对激光进行刻痕处理后的半导体衬底进行清洁;在经过清洁后的半导体衬底表面制备金属涂层,得到所述半导体与金属涂层的复合结构。本发明通过在半导体衬底表面利用激光进行刻痕处理,加工出刻痕,使得半导体衬底表面具有凹凸不平的结构,增加了半导体衬底表面的粗糙度,有利于金属涂层与半导体衬底表面之间形成机械咬合,提高了半导体衬底表面与金属涂层之间的结合力,从而能够使得半导体与金属涂层的复合结构在进行切割时,避免出现金属涂层脱落、焊接效果不佳的问题。
公开/授权文献
- CN113957374B 一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法 公开/授权日:2022-10-25
IPC分类: