发明公开
- 专利标题： 基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法
-
申请号： CN202110984776.1申请日： 2021-08-26
-
公开(公告)号： CN113937243A公开(公告)日： 2022-01-14
- 发明人: 李福山 , 赵等临 , 胡海龙 , 郭太良 , 孟汀涛
- 申请人： 福州大学 , 闽都创新实验室
- 申请人地址： 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学;
- 专利权人： 福州大学,闽都创新实验室
- 当前专利权人： 福州大学,闽都创新实验室
- 当前专利权人地址： 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学;
- 代理机构： 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理商 陈明鑫; 蔡学俊
- 主分类号： H01L51/56
- IPC分类号： H01L51/56
摘要：
本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
公开/授权文献
- CN113937243B 基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法 公开/授权日：2024-01-30
IPC分类:
