本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。