发明公开
CN113848608A 单模光纤及其制备方法
审中-实审
- 专利标题: 单模光纤及其制备方法
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申请号: CN202010600926.X申请日: 2020-06-28
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公开(公告)号: CN113848608A公开(公告)日: 2021-12-28
- 发明人: 秦钰 , 丁杰 , 葛一凡 , 陈京京 , 钱宜刚 , 沈一春
- 申请人: 中天科技精密材料有限公司
- 申请人地址: 江苏省南通市开发区中天路3号
- 专利权人: 中天科技精密材料有限公司
- 当前专利权人: 中天科技精密材料有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市开发区中天路3号
- 代理机构: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
- 代理商 陈海云; 许春晓
- 主分类号: G02B6/036
- IPC分类号: G02B6/036 ; G02B6/02 ; C03B37/014 ; C03B37/027
摘要:
本发明提供的一种单模光纤及其制备方法。该单模光纤包括裸光纤和包覆在裸光纤外的涂覆层,裸光纤包括同轴设置的氟和碱金属共掺二氧化硅的芯层、氟掺二氧化硅的下陷内包层、氟掺二氧化硅的辅助内包层和低氯二氧化硅的外包层,下陷内包层的外表层区域形成高羟基含量层,裸光纤的折射率分布呈阶跃型。通过合理设计剖面折射率分布,增大了光纤有效面积;采用在纯二氧化硅的芯层掺碱金属和掺氟,在下陷内包层外形成高羟基层,低氯纯二氧化硅的外包层等设计,改善光纤内外部的粘度匹配,减少光纤制备过程中缺陷,降低了光纤的衰减参数;在芯层外直接设置下陷内包层,确保了光纤具有良好的弯曲性能。
公开/授权文献
- CN113848608B 单模光纤及其制备方法 公开/授权日:2023-08-08