- 专利标题: 一种超薄层羟镁铝石材料及其制备方法与应用
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申请号: CN202111113989.3申请日: 2021-09-23
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公开(公告)号: CN113830805B公开(公告)日: 2023-04-18
- 发明人: 曹耀武 , 苗哲彦 , 唐保春 , 马月花 , 宋泓禹 , 郭清海
- 申请人: 中国地质大学(武汉) , 青海省水文地质工程地质环境地质调查院
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号;
- 专利权人: 中国地质大学(武汉),青海省水文地质工程地质环境地质调查院
- 当前专利权人: 中国地质大学(武汉),青海省水文地质工程地质环境地质调查院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号;
- 代理机构: 武汉知产时代知识产权代理有限公司
- 代理商 万文广
- 主分类号: C01F7/00
- IPC分类号: C01F7/00 ; B82Y40/00 ; B01J20/30 ; B01J20/08 ; C02F1/28 ; C02F101/22
摘要:
本发明提供了一种超薄层羟镁铝石及其制备方法与应用。该制备方法以氧化镁、氢氧化铝和水为原材料在高速流体剪切力和强烈振动力的作用下,晶核的团聚受到抑制,在甲酰胺溶剂中通过机械振动,得到纳米片层结构的超薄层羟镁铝石材料。该材料为层状双羟基复合金属氢氧化物,片层厚度为10nm~20nm,其层间仅含有羟基,具有较大的比表面积和高度暴露的活性位点,而且在处理污染物的过程中不会产生二次污染,具有显著的优越性。对Cr(Ⅵ)的吸附去除率高达99.82%,吸附容量高达12.98mg/g。本发明提供的制备方法,具有原材料易得、操作简单,对设备要求低、能耗小和生产成本低等优点,产率高达92%以上,可实现规模化生产。
公开/授权文献
- CN113830805A 一种超薄层羟镁铝石材料及其制备方法与应用 公开/授权日:2021-12-24
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