发明授权
- 专利标题: 一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法
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申请号: CN202111044356.1申请日: 2021-09-07
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公开(公告)号: CN113782503B公开(公告)日: 2024-06-11
- 发明人: 史闻 , 谢志峰 , 郑翰鸿
- 申请人: 纳芯半导体科技(浙江)有限公司
- 申请人地址: 浙江省金华市中国(浙江)自由贸易试验区金华市义乌市稠江街道杨村路300号A幢1楼
- 专利权人: 纳芯半导体科技(浙江)有限公司
- 当前专利权人: 纳芯半导体科技(浙江)有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省金华市中国(浙江)自由贸易试验区金华市义乌市稠江街道杨村路300号A幢1楼
- 代理机构: 南京国润知识产权代理事务所
- 代理商 娄飞
- 主分类号: H01L23/367
- IPC分类号: H01L23/367 ; H01L23/373 ; H01L23/467 ; H01L21/50
摘要:
本发明公开了一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法,涉及碳化硅功率器件封装技术领域,包括碳化硅功率器件,所述碳化硅功率器件的顶端设置有正电极,所述碳化硅功率器件的底端连接有负电极,所述负电极的底端安装有散热机构,所述散热机构的底端设置有封装基板。本发明通过设置碳化硅功率器件、散热机构、封装基板、散热器,散热箱的底端与第二接触面接触,从而导致散热箱内部顶端与底端吸收的热量不同,使得散热箱底端的热量通过导热仓移动至导热杆内部,最后移动至回流仓内部,使得热量在散热箱内部移动,加快热量的发散,通过外部空气的快速流动,再加上散热箱对合金散热棒的快速吸热,通过双重散热的方法达到快速散热的目的。
公开/授权文献
- CN113782503A 一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法 公开/授权日:2021-12-10
IPC分类: