本发明涉及基于聚焦离子束辐照制备二维光伏探测器的方法，该方法利用离子束技术在二维材料一侧表面制备缺陷结构，利用缺陷调控二维材料的载流子掺杂，构建PN节，即将单层TMDCs与石墨烯堆叠在一起构成异质结，TMDCs在石墨烯上方，使用聚焦离子束轰击TMDCs薄膜，制备缺陷结构，并降低TMDCs的功函数。利用TMDCs与石墨烯间的纵向电子传输，对石墨烯进行电荷掺杂，调控石墨烯N态及P态电子性质，构建二维光伏探测器。可以实现全自动化过程，操作简单，重复性强，短时间内可制备出大批次光伏探测器的PN结二极管，制备出的二维光伏探测器具有宽波段探测能力，表现出优异的光伏性能。