本发明涉及层状陶瓷的制备技术，具体地说是一种致密的层状碳化硅陶瓷及其制备方法。层状碳化硅陶瓷以薄片状碳化硅陶瓷为基本单元，各基本单元以叠层方式利用分立式碳化硅陶瓷柱连接的三层以上结构；层状碳化硅陶瓷中，碳化硅陶瓷基本单元和碳化硅陶瓷柱的相对致密度≥99％；按重量百分比计，碳化硅陶瓷基本单元和碳化硅陶瓷柱各自的成份由90％～98％的碳化硅和10％～2％的硅组成，平均晶粒尺寸在50nm～50μm。本发明利用层状碳化硅陶瓷的层状结构间隙，将韧性相(如：金属、聚合物等)填充到层状结构间隙中，在承受冲击载荷时，可以改变裂纹的传输途径、扩展机制、降低材料对裂纹的敏感性，进而提高陶瓷的韧性。