本发明提供一种与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法，与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构包括衬底、电路处理模块、微桥结构和悬垂电极组；悬垂电极组包括间隔设置的第一悬垂电极和第三悬垂电极，第一悬垂电极和第三悬垂电极均沿第一方向延伸，第一方向与微桥结构垂直，第三悬垂电极包括沟道层、源电极和漏电极，源电极和漏电极位于沟道层沿第一方向的相对两侧，第一悬垂电极作为第一栅电极，与沟道层相对设置。本发明在芯片内形成空气隙晶体管，提升对红外光强度感应的灵敏度。