- 专利标题: 与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法
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申请号: CN202111095750.8申请日: 2021-09-18
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公开(公告)号: CN113551782B公开(公告)日: 2021-12-28
- 发明人: 刘伟 , 马仁旺 , 王鹏 , 郭得福 , 欧秦伟
- 申请人: 西安中科立德红外科技有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市高新区毕原二路3000号硬科技企业社区8幢
- 专利权人: 西安中科立德红外科技有限公司
- 当前专利权人: 西安中科立德红外科技有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市高新区毕原二路3000号硬科技企业社区8幢
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 宋兴; 臧建明
- 主分类号: G01J5/20
- IPC分类号: G01J5/20 ; G01J1/42 ; H01L31/18 ; H01L31/113
摘要:
本发明提供一种与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法,与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构包括衬底、电路处理模块、微桥结构和悬垂电极组;悬垂电极组包括间隔设置的第一悬垂电极和第三悬垂电极,第一悬垂电极和第三悬垂电极均沿第一方向延伸,第一方向与微桥结构垂直,第三悬垂电极包括沟道层、源电极和漏电极,源电极和漏电极位于沟道层沿第一方向的相对两侧,第一悬垂电极作为第一栅电极,与沟道层相对设置。本发明在芯片内形成空气隙晶体管,提升对红外光强度感应的灵敏度。
公开/授权文献
- CN113551782A 与半导体集成电路CMOS工艺兼容的芯片结构及其制备方法 公开/授权日:2021-10-26