发明授权
- 专利标题： 金属电容结构及其制备方法
-
申请号： CN202111066013.5申请日： 2021-09-13
-
公开(公告)号： CN113517400B公开(公告)日： 2021-12-31
- 发明人: 刘翔 , 王家玺
- 申请人： 广州粤芯半导体技术有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 专利权人： 广州粤芯半导体技术有限公司
- 当前专利权人： 粤芯半导体技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 罗磊
- 主分类号： H01L49/02
- IPC分类号： H01L49/02
摘要：
本发明提供了一种金属电容结构及其制备方法，其特征在于，包括：基底；电容结构，包括依次堆叠于所述基底上的底层金属层、层间介质层及顶层金属层；若干开口，贯穿所述顶层金属层并向下延伸至所述层间介质层内；凹陷，位于所述开口的侧壁，且从所述开口底部向下延伸至所述层间介质层内；侧墙，位于所述开口内，并从所述顶层金属层侧壁向下延伸至填充所述凹陷；本发明提高了金属电容结构的击穿电压。
公开/授权文献
- CN113517400A 金属电容结构及其制备方法 公开/授权日：2021-10-19
IPC分类:
