本发明提供了一种大尺寸GaN晶体及其制备方法，属于晶体生长技术领域。本发明提供了一种大尺寸GaN晶体的制备方法，包括以下步骤：将原料熔化，得到第一熔体；所述原料包括助熔剂；将GaN粉末放置于所述第一熔体的底部，得到混合体系；将GaN籽晶放置于所述混合体系的上部，然后在充满氮气的密闭环境中进行晶体生长，得到大尺寸GaN晶体；所述氮气的压强为0.1～10MPa；所述晶体生长的温度为600～900℃。实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的GaN晶体的尺寸可达30mm*10mm*2.5mm。