发明公开
- 专利标题: 红外发光二极管芯片及其制备方法
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申请号: CN202110412078.4申请日: 2021-04-16
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公开(公告)号: CN113345987A公开(公告)日: 2021-09-03
- 发明人: 肖和平 , 朱迪 , 王世俊 , 李彤
- 申请人: 华灿光电(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 专利权人: 华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 代理机构: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吕耀萍
- 主分类号: H01L33/06
- IPC分类号: H01L33/06 ; H01L33/22 ; H01L33/30 ; H01L33/00
摘要:
本公开提供了红外发光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。多量子阱层设置为包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的结构,AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的晶格常数与InGaAs阱层的晶格常数更接近,AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层中P原子半径较小,部分P原子可以填补部分空位缺陷,红外发光二极管芯片的发光效率可以得到有效提高。垒层中Al的组分较低,P的组分较高,可以有效抑制空位缺陷且适当降低AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的势垒,更有利于载流子的流动与发光,提高红外发光二极管芯片的发光效率。
公开/授权文献
- CN113345987B 红外发光二极管芯片及其制备方法 公开/授权日:2022-05-13
IPC分类: