本公开提供了红外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。多量子阱层设置为包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的结构，AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的晶格常数与InGaAs阱层的晶格常数更接近，AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层中P原子半径较小，部分P原子可以填补部分空位缺陷，红外发光二极管芯片的发光效率可以得到有效提高。垒层中Al的组分较低，P的组分较高，可以有效抑制空位缺陷且适当降低AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的势垒，更有利于载流子的流动与发光，提高红外发光二极管芯片的发光效率。