发明授权
- 专利标题: 用于MOCVD设备反应腔的测量装置
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申请号: CN202110889862.4申请日: 2021-08-04
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公开(公告)号: CN113340180B公开(公告)日: 2021-11-09
- 发明人: 尧舜 , 刘晨晖 , 董国亮
- 申请人: 华芯半导体研究院(北京)有限公司 , 华芯半导体科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107;
- 专利权人: 华芯半导体研究院(北京)有限公司,华芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 华芯半导体研究院(北京)有限公司,华芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107;
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 赵丽婷
- 主分类号: G01B5/18
- IPC分类号: G01B5/18 ; G01B5/252
摘要:
本发明公开了用于MOCVD设备反应腔的测量装置。该测量装置包括环形底座、活动架杆和测量组件,环形底座包括开口朝上的第一凹槽和开口朝下的第二凹槽,第一凹槽包括上下设置的第一环腔和第二环腔,第二凹槽与MOCVD设备反应腔的环形壁固定;活动架杆的滚轮设在第二环腔内,连接杆设在第一环腔内,刻度杆的两端通过连接杆与滚轮相连;测量组件包括垂直相连的千分表和深度尺,深度尺测杆可沿第一固定组件上下移动且可通过第一固定组件沿刻度杆水平移动,千分表可通过水平固定杆和第二固定组件随深度尺测杆上下移动。该装置将深度尺与千分尺固定于可平面360度自由旋转的活动架杆上,能实现反应腔内任何位置的数据测量并保证测量位置一致性及测量精度。
公开/授权文献
- CN113340180A 用于MOCVD设备反应腔的测量装置 公开/授权日:2021-09-03