本公开提供了红光发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在p型AlInP限制层上依次生长p型AlGaAs欧姆接触层与p型AlGaAs电流扩展层。p型AlGaAs欧姆接触层与p型AlInP限制层欧姆接触层的晶格常数接近，将p电极制备在质量较好的p型AlGaAs欧姆接触层上，可以保证p电极与p型AlGaAs欧姆接触层之间具有良好的连接。p型AlGaAs欧姆接触层之后的p型AlGaAs电流扩展层，在p型AlGaAs欧姆接触层上生成质量更好的p型AlGaAs电流扩展层进行过渡，提高p型AlGaAs电流扩展层上生长的p型AlGaInP过度层的质量。