发明授权
- 专利标题： 光电二极管的击穿电压测试
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申请号： CN202110388922.4申请日： 2019-08-26
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公开(公告)号： CN113189466B公开(公告)日： 2023-01-20
- 发明人: 王陈銮 , 向少卿
- 申请人： 上海禾赛科技有限公司
- 申请人地址： 上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼
- 专利权人： 上海禾赛科技有限公司
- 当前专利权人： 上海禾赛科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼
- 代理机构： 北京律和信知识产权代理事务所
- 代理商 郝文博
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本公开涉及一种能够测试光电二极管的击穿电压的模拟前端电路、一种测试光电二极管的击穿电压的方法以及一种用于激光雷达的接收电路。根据本公开，在控制器的控制下，通过电压型DAC调节光电二极管的阳极处的电压，和/或通过调节光电二极管的阴极处的供电电压，来独立地调节各个通道的光电二极管的反向偏置电压，从而可以完成对光电二极管的击穿电压的测试，并且能够将光电二极管调节到最佳工作电压。
公开/授权文献
- CN113189466A 光电二极管的击穿电压测试 公开/授权日：2021-07-30
