一种微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜方法。其步骤是：步骤A、研磨，使用金相砂纸研磨单硅基片表面并产生划痕；步骤B、清洗，将单硅基片置入丙酮溶液的烧杯中超声波清洗；步骤C、形核，将单硅基片置于微波等离子体化学气相沉积设备腔体中；步骤D、刻蚀，氢等离子体对晶核作刻蚀净化处理；步骤E、生长，通入CH₄气体使金刚石膜正常生长；步骤F、沉积，当步骤E金刚石膜生长50～70分钟时，用纯H等离子体作5～10分钟的沉积；循环步骤D、步骤E8次；步骤G、后处理，进行原位氧等离子后处理，获得金刚石膜。其有益效果是，最终沉积的金刚石膜的纯度以及取向度高，电阻率高的特点，可以达到光学应用的要求。