- 专利标题： 一种高磁导率高Bs高Tc的MnZn铁氧体材料及其制备方法
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申请号： CN202110378103.1申请日： 2021-04-08
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公开(公告)号： CN113149630A公开(公告)日： 2021-07-23
- 发明人: 孙科 , 王超 , 鞠登峰 , 黄辉 , 李春龙 , 余忠 , 邬传健 , 蒋晓娜 , 兰中文 , 刘弘景 , 叶宽 , 刘可文 , 吴涛
- 申请人： 电子科技大学 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号; ; ;
- 专利权人： 电子科技大学,全球能源互联网研究院有限公司,国网北京市电力公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 电子科技大学,全球能源互联网研究院有限公司,国网北京市电力公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号; ; ;
- 代理机构： 电子科技大学专利中心
- 代理商 吴姗霖
- 主分类号： C04B35/38
- IPC分类号： C04B35/38 ; H01F1/03 ; C04B35/64
摘要：
一种高磁导率高Bs高Tc的MnZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。包括主料和掺杂剂，主料：51.5～53.5mol％Fe2O3、16～21mol％ZnO、25.5～32.5mol％MnO，掺杂剂：0.001～0.05wt％Cu2V2O7，0.001～0.05wt％Bi2O3，0.001～0.05wt％Sb2O5，0.001～0.08wt％P2O5，0.001～0.05wt％Nb2O5，0.001～0.1wt％MoO3。本发明得到的MnZn铁氧体兼具高μi(≥10000)、高Bs(≥500mT)以及高Tc(≥160℃)。
公开/授权文献
- CN113149630B 一种高磁导率高Bs高Tc的MnZn铁氧体材料及其制备方法 公开/授权日：2022-11-08
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