本发明公开了一种大尺寸无压烧结碳化硅陶瓷材料制备工艺，属于陶瓷技术领域，包括以下步骤：S1、选取碳化硅粉备用，S2、将选取的碳化硅粉搅拌混料、造粒烘干，S3、将碳化硅粉等静压制成型陶瓷，S4、对压制成型的陶瓷进行烧结，获得无压烧结碳化硅陶瓷。本发明，突破了传统烧结工艺，在无压条件下进行烧结，氩气氛烧结中，将99.9%的碳化硅微粉在22000C高温烧结，密度达到3.15g/cm3，热导性能好，热导率达74W/m.k，努氏硬度2600kg/mm2，烧结后的无压碳化硅材料具有超强的断裂韧性，又具有较高的断裂强度，0气孔率，密度3.15g/cm2，耐磨耐腐蚀性能更好，最高工作温度16100C。