Invention Grant
- Patent Title: 一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用
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Application No.: CN201911389649.6Application Date: 2019-12-30
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Publication No.: CN113121207BPublication Date: 2023-10-13
- Inventor: 杨殿来 , 张莹莹 , 段同飞 , 杨国庆 , 马俊良 , 崔俊刚 , 薛健 , 许壮志 , 张明 , 周亮
- Applicant: 辽宁省轻工科学研究院有限公司
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市皇姑区崇山西路3号
- Assignee: 辽宁省轻工科学研究院有限公司
- Current Assignee: 辽宁省轻工科学研究院有限公司
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市皇姑区崇山西路3号
- Agency: 沈阳维特专利商标事务所
- Agent 甄玉荃
- Main IPC: C04B35/10
- IPC: C04B35/10 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; H01B3/12

Abstract:
本发明公开了一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用,其中,所述复合粉体包括Al、Cr、Mn、Ti、Mo、Si、La、Eu、Y、Ho、Mg、Cu,制备方法如下:首先,引入掺杂剂并进行一次球磨,然后,缓慢加入氧化铝粉体进行二次高能球磨,得氧化铝基球磨浆料,最后,对氧化铝基球磨浆料进行真空冷冻干燥、低温煅烧获得。该复合粉体可以通过刷涂、喷涂等多种施工工艺对真空绝缘材料进行涂层,达到提高真空绝缘工件,尤其是伪火花开关沿面闪络耐压的效果。
Public/Granted literature
- CN113121207A 一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用 Public/Granted day:2021-07-16
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